مشخصات فنی اسنپ دراگون 835 کوالکوم که جانشین اسنپ دراگون 821 است که در ابتدا توسط یک بلاگ نویس روسی به اسم الدار مورتازین ( که پایان تولید خط Google’s Nexus را قبل از Pixels) اعلام شده بود، اکنون توسط هر دو شرکت Qualcomm و Samsung تایید شد و این سوال را بر می انگیزد که آیا این پردازنده جدید در گوشی Galaxy S8 سامسونگ که به زودی قرار است به بازار عرضه شود استفاده می شود یا نه، اگرچه برخی ویژگی های فنی این پردازنده پخش شده است اما هنوز حدس و گمان ها در رابطه با Snapdragon 835 و به کارگیری آن در Galaxy S8 وجود دارد.
بر طبق مشخصات فنی ارائه شده از اسنپ دراگون 835 این Qualcomm SoC جدید دارای CPU هشت هسته ای( در مقایسه با اسنپ دراگون 821 چهار هسته ای) GPU 540 آدرنو، تکنولوژی UFS 2.1( در مقایسه با UFS 2.0) که بر اساس پردازشگر FinFET 10nm که سامسونگ 6 ماه پیش از آن رونمایی کرد می باشد که از اسنپ دراگون 821 پیشرفته تر است، همچنین اگر اطلاعات FinFET 10nm درست باشد، رم 6GB برای Galaxy S8 نیز انجام خواهد شد، همچنین ویژگی هایی که توسط کشور چین افشا می شود ( مثل افشای رم 6GB برای Galaxy Note7) قبل از اعلام آن توسط سامسونگ، عموما دقیق اند.
در آخر، برگه مشخصات فنی اسنپ دراگون 835 جدید در سه ماهه اول 2017 با رونمایی از Galaxy S8 در کنگره جهانی موبایل در سال 2017 عرضه خواهد شد.
